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ROHM羅姆半導體完整型號: DTB123YUT106

制造廠家名稱: Rohm Semiconductor

功能總體簡述: TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3

系列: -

晶體管類型: PNP - 預偏壓

電流 - 集電極（Ic）（最大值）: 500mA

電壓 - 集射極擊穿（最大值）: 50V

電阻器 - 基底（R1）（歐姆）: 2.2k

電阻器 - 發射極基底（R2）（歐姆）: 10k

不同 Ic，Vce 時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）: 56 @ 50mA，5V

不同 Ib，Ic 時的 Vce 飽和值（最大值）: 300mV @ 2.5mA，50mA

電流 - 集電極截止（最大值）: 500nA

頻率 - 躍遷: 200MHz

功率 - 最大值: 200mW

安裝類型: 表面貼裝

封裝/外殼: SC-70，SOT-323

供應商器件封裝: UMT3