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RP1E100XNTR
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ROHM羅姆半導體完整型號: RP1E100XNTR

制造廠家名稱: Rohm Semiconductor

功能總體簡述: MOSFET N-CH 30V 10A MPT6

系列: -

FET 類型: MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能: 邏輯電平柵極,4V 驅動

漏源極電壓(Vdss): 30V

電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時): 10A(Ta)

不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值): 13 毫歐 @ 10A,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值): 2.5V @ 1mA

不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg): 11nC @ 5V

不同 Vds 時的輸入電容(Ciss): 800pF @ 10V

功率 - 最大值: 2W

安裝類型: 表面貼裝

封裝/外殼: 6-SMD,扁平引線

供應商器件封裝: MPT6


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