精品久久久久久中文字幕专区-精品久久久久久综合另类小说-精品久久久久久综合网-精品久久久久无码专区-精品久久久久香蕉网-精品久久久久亚洲国产

RQ3E100BNTB >>> ROHM羅姆芯片，深圳市諾森半導電子有限公司提供ROHM公司RQ3E100BNTB報價、現貨供應、功能介紹、技術資料下載，想實時獲取此顆IC的全球現貨庫存數量及實時價格嗎？那就馬上與我們聯系吧！

采購RQ3E100BNTB？不再猶豫，找我們沒錯！對有長期需求的制造商，提供免費樣品！從前期的產品試產到大批量生產，我們將提供性價比最高的現貨供應服務！

ROHM羅姆半導體完整型號: RQ3E100BNTB

制造廠家名稱: Rohm Semiconductor

功能總體簡述: MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8

系列: -

FET 類型: MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能: 標準

漏源極電壓（Vdss）: 30V

電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）: 10A（Ta）

不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）: 10.4 毫歐 @ 10A，10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 1mA

不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）: 22nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）: 1100pF @ 15V

功率 - 最大值: 2W

安裝類型: 表面貼裝

封裝/外殼: 8-PowerVDFN

供應商器件封裝: 8-HSMT（3.2x3）