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ROHM羅姆半導體完整型號: US6M11TR

制造廠家名稱: Rohm Semiconductor

功能總體簡述: MOSFET N/P-CH 20V/12V TUMT6

系列: -

FET 類型: N 和 P 溝道

FET 功能: 邏輯電平門

漏源極電壓（Vdss）: 20V，12V

電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）: 1.5A，1.3A

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值）: 180 毫歐 @ 1.5A，4.5V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）: 1V @ 1mA

不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）: 1.8nC @ 4.5V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）: 110pF @ 10V

功率 - 最大值: 1W

安裝類型: 表面貼裝

封裝/外殼: 6-TSSOP，SC-88，SOT-363

供應商器件封裝: UMT6