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VT6K1T2CR
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ROHM羅姆半導(dǎo)體完整型號: VT6K1T2CR

制造廠家名稱: Rohm Semiconductor

功能總體簡述: MOSFET 2N-CH 20V 0.1A VMT6

系列: -

FET 類型: 2 個 N 溝道(雙)

FET 功能: 邏輯電平柵極,1.2V 驅(qū)動

漏源極電壓(Vdss): 20V

電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時): 100mA

不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值): 3.5 歐姆 @ 100mA,4.5V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值): 1V @ 100μA

不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg): -

不同 Vds 時的輸入電容(Ciss): 7.1pF @ 10V

功率 - 最大值: 120mW

安裝類型: 表面貼裝

封裝/外殼: 6-SMD,扁平引線

供應(yīng)商器件封裝: VMT6


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