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Renesas瑞薩完整型號(hào): H7N1002LS-E

制造廠家名稱: Renesas Electronics America

功能總體簡(jiǎn)述: MOSFET N-CH 100V LDPAK

系列: -

FET 類型: MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能: 邏輯電平柵極，4.5V 驅(qū)動(dòng)

漏源極電壓（Vdss）: 100V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）: 75A（Ta）

不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）: 10 毫歐 @ 37.5A，10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）: -

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）: 155nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）: 9700pF @ 10V

功率 - 最大值: 100W

安裝類型: *

封裝/外殼: *

供應(yīng)商器件封裝: *