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H7N1002LSTL-E
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Renesas瑞薩完整型號: H7N1002LSTL-E

制造廠家名稱: Renesas Electronics America

功能總體簡述: MOSFET N-CH 100V LDPAK

系列: -

FET 類型: MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能: 邏輯電平柵極,4.5V 驅動

漏源極電壓(Vdss): 100V

電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時): 75A(Ta)

不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值): 10 毫歐 @ 37.5A,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值): -

不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg): 155nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容(Ciss): 9700pF @ 10V

功率 - 最大值: 100W

安裝類型: *

封裝/外殼: *

供應商器件封裝: *


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