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HAT2165N-EL-E
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Renesas瑞薩完整型號:HAT2165N-EL-E

制造廠家名稱:Renesas Electronics America

描述:MOSFET N-CH 30V 55A LFPAKI

系列:-

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss):30V

電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時):55A(Ta)

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):3.6 毫歐 @ 27.5A,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):-

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):33nC @ 4.5V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):5180pF @ 10V

功率 - 最大值:30W

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:8-PowerSOIC(0.156",3.95mm)

供應商器件封裝:8-LFPAK-iV


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