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NP110N04PDG-E1-AY
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Renesas瑞薩完整型號:NP110N04PDG-E1-AY

制造廠家名稱:Renesas Electronics America

描述:MOSFET N-CH 40V MP-25ZP/TO-263

系列:-

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss):40V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):110A(Tc)

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):1.8 毫歐 @ 55A,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):390nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):25700pF @ 25V

功率 - 最大值:1.8W

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB

供應商器件封裝:TO-263


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