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NP50P06KDG-E1-AY
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Renesas瑞薩完整型號:NP50P06KDG-E1-AY

制造廠家名稱:Renesas Electronics America

描述:MOSFET P-CH 60V 50A TO-263

系列:-

FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物

FET 功能:邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss):60V

電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時):50A(Tc)

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):17 毫歐 @ 25A,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):95nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):5000pF @ 10V

功率 - 最大值:1.8W

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB

供應商器件封裝:TO-263


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