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ST意法半導(dǎo)體公司完整型號：IRF630

制造廠家名稱：STMicroelectronics

描述：MOSFET N-CH 200V 9A TO-220

系列：MESH OVERLAY II

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：200V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：9A（Tc）

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：400 毫歐 @ 4.5A，10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：45nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：700pF @ 25V

功率 - 最大值：75W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-220-3

供應(yīng)商器件封裝：TO-220AB