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ST意法半導體公司完整型號：IRF640

制造廠家名稱：STMicroelectronics

描述：MOSFET N-CH 200V 18A TO-220

系列：MESH OVERLAY?

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：200V

電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：18A（Tc）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：180 毫歐 @ 9A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：72nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1560pF @ 25V

功率 - 最大值：125W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-220-3

供應商器件封裝：TO-220AB