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ST意法半導(dǎo)體公司完整型號：STD2HNK60Z-1

制造廠家名稱：STMicroelectronics

描述：MOSFET N-CH 600V 2A IPAK

系列：SuperMESH?

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓 (Vdss)：600V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：2A（Tc）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：4.8 歐姆 @ 1A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 50μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：15nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：280pF @ 25V

功率 - 最大值：45W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-251-3 長引線，IPak，TO-251AB

供應(yīng)商器件封裝：I-Pak