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ST意法半導(dǎo)體公司完整型號：STH110N10F7-6

制造廠家名稱：STMicroelectronics

描述：MOSFET N-CH 100V 110A H2PAK-6

系列：DeepGATE， STripFET VII

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓 (Vdss)：100V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：110A（Tc）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：6.5 毫歐 @ 55A， 10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：72nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：5117pF @ 50V

功率 - 最大值：150W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-7，D2Pak（6 引線+接片）

供應(yīng)商器件封裝：H2PAK