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GT60N321(Q)
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東芝半導體公司完整型號:GT60N321(Q)

制造廠家名稱:Toshiba Semiconductor and Storage

描述:IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH

系列:-

IGBT 類型:-

電壓 - 集射極擊穿(最大值):1000V

電流 - 集電極 (Ic)(最大值):60A

Current - Collector Pulsed (Icm):120A

不同 Vge、Ic 時的 Vce(on):2.8V @ 15V,60A

功率 - 最大值:170W

Switching Energy:-

輸入類型:標準

Gate Charge:-

25°C 時 Td(開/關)值:330ns/700ns

Test Condition:-

反向恢復時間 (trr):2.5μs

封裝/外殼:TO-3PL

安裝類型:通孔

供應商器件封裝:TO-3P(LH)


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