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SSM6J212FE(TE85L,F
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東芝半導體公司完整型號:SSM6J212FE(TE85L,F

制造廠家名稱:Toshiba Semiconductor and Storage

描述:MOSFET P-CH 20V 4A ES6

系列:-

FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物

FET 功能:邏輯電平柵極,1.5V 驅(qū)動

漏源極電壓 (Vdss):20V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):4A(Ta)

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):40.7 毫歐 @ 3A,4.5V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 1mA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):14.1nC @ 4.5V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):970pF @ 10V

功率 - 最大值:500mW

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:SOT-563,SOT-666

供應商器件封裝:ES6(1.6x1.6)


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