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東芝半導(dǎo)體公司完整型號(hào)：TK10J80E,S1E

制造廠家名稱：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：MOSFET N-CH 800V TO-3PN

系列：-

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓 (Vdss)：800V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：10A（Ta）

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：1 歐姆 @ 5A，10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：46nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：2000pF @ 25V

功率 - 最大值：250W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-3P-3，SC-65-3

供應(yīng)商器件封裝：TO-3P（N）