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TK31V60X,LQ
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東芝半導(dǎo)體公司完整型號(hào):TK31V60X,LQ

制造廠家名稱:Toshiba Semiconductor and Storage

描述:MOSFET N-CH 600V 30.8A 5DFN

系列:-

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:超級(jí)結(jié)

漏源極電壓 (Vdss):600V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):30.8A(Ta)

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):98 毫歐 @ 9.4A, 10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 1.5mA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):65nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):3000pF @ 300V

功率 - 最大值:240W

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:4-VSFN 裸露焊盤(pán)

供應(yīng)商器件封裝:5-DFN (8x8)


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