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TK55S10N1,LQ
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東芝半導(dǎo)體公司完整型號:TK55S10N1,LQ

制造廠家名稱:Toshiba Semiconductor and Storage

描述:MOSFET N-CH 100V 55A DPAK

系列:-

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓 (Vdss):100V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):55A(Ta)

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):6.5 毫歐 @ 27.5A, 10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 500μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):49nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):3280pF @ 10V

功率 - 最大值:100W

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63

供應(yīng)商器件封裝:DPAK+


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