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TPC8212-H(TE12LQ,M
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東芝半導(dǎo)體公司完整型號:TPC8212-H(TE12LQ,M

制造廠家名稱:Toshiba Semiconductor and Storage

描述:MOSFET 2N-CH 30V 6A SOP8

系列:-

FET 類型:2 個 N 溝道(雙)

FET 功能:邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss):30V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):6A

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):21 毫歐 @ 3A,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 1mA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):16nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):840pF @ 10V

功率 - 最大值:450mW

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:8-SOIC(0.173",4.40mm 寬)

供應(yīng)商器件封裝:8-SOP(5.5x6.0)


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