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東芝半導體公司完整型號：TPCC8A01-H(TE12LQM

制造廠家名稱：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：MOSFET N-CH 30V 21A SBD 8TSON

系列：-

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：30V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：21A（Ta）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：9.9 毫歐 @ 10.5A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 1mA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：20nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1900pF @ 10V

功率 - 最大值：30W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-VDFN 裸露焊盤

供應商器件封裝：8-TSON