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東芝半導(dǎo)體公司完整型號：TPCF8101(TE85L,F,M

制造廠家名稱：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：MOSFET P-CH 12V 6A VS-8

系列：-

FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET 功能：邏輯電平柵極，1.8V 驅(qū)動

漏源極電壓 (Vdss)：12V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：6A（Ta）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：28 毫歐 @ 3A，4.5V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 200μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：18nC @ 5V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1600pF @ 10V

功率 - 最大值：-

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SMD，扁平引線

供應(yīng)商器件封裝：VS-8（2.9x1.9）