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TPCF8101(TE85L,F,M
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東芝半導(dǎo)體公司完整型號:TPCF8101(TE85L,F,M

制造廠家名稱:Toshiba Semiconductor and Storage

描述:MOSFET P-CH 12V 6A VS-8

系列:-

FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物

FET 功能:邏輯電平柵極,1.8V 驅(qū)動

漏源極電壓 (Vdss):12V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):6A(Ta)

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):28 毫歐 @ 3A,4.5V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 200μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):18nC @ 5V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):1600pF @ 10V

功率 - 最大值:-

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:8-SMD,扁平引線

供應(yīng)商器件封裝:VS-8(2.9x1.9)


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