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TPH12008NH,L1Q
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東芝半導(dǎo)體公司完整型號:TPH12008NH,L1Q

制造廠家名稱:Toshiba Semiconductor and Storage

描述:MOSFET N CH 80V 24A SOP

系列:-

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓 (Vdss):80V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):24A(Tc)

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):12.3 毫歐 @ 12A, 10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 300μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):22nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):1900pF @ 40V

功率 - 最大值:48W

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:8-PowerVDFN

供應(yīng)商器件封裝:8-SOP 高級


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