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TPN4R303NL,L1Q
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東芝半導(dǎo)體公司完整型號:TPN4R303NL,L1Q

制造廠家名稱:Toshiba Semiconductor and Storage

描述:MOSFET N-CH 30V 63A 8TSON

系列:-

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss):30V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):40A(Tc)

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):4.3 毫歐 @ 20A,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 200μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):14.8nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):1400pF @ 15V

功率 - 最大值:34W

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:8-PowerVDFN

供應(yīng)商器件封裝:8-TSON高級


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