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TPN7R506NH,L1Q
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東芝半導體公司完整型號:TPN7R506NH,L1Q

制造廠家名稱:Toshiba Semiconductor and Storage

描述:MOSFET N-CH 30V 53A 8TSON

系列:-

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:標準

漏源極電壓 (Vdss):60V

電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時):26A(Tc)

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):7.5 毫歐 @ 13A,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 200μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):22nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):1800pF @ 30V

功率 - 最大值:42W

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:8-PowerVDFN

供應商器件封裝:8-TSON高級


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